第八屆全國大學(xué)生集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國總決賽于2024年8月21日在山東省煙臺哈爾濱工程大學(xué)研究院落下帷幕，全國共有430多所高等院校的5600支參賽隊(duì)報(bào)名參賽,，本碩博團(tuán)隊(duì)超16000人,。大賽覆蓋集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈主要方向,，包括集成電路設(shè)計(jì),、芯片應(yīng)用,、半導(dǎo)體工藝,、半導(dǎo)體測試、EDA以及集成電路創(chuàng)新成果等13個(gè)技術(shù)方向,，共設(shè)22個(gè)挑戰(zhàn)杯賽,。本屆大賽共評出全國一、二,、三等獎(jiǎng)作品514項(xiàng),。我校組織學(xué)生參加了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈賽道——半導(dǎo)體工藝，獲得全國二等獎(jiǎng)1項(xiàng),。

　　本賽題主要涵蓋28nm MOSFET器件工藝制造全流程的三個(gè)階段,，分別對應(yīng)初賽、分賽區(qū)決賽和全國總決賽：初賽28nm MOSFET器件工藝仿真設(shè)計(jì),；分賽區(qū)決賽為28nm MOSFET器件建模與完成PDK階段,；全國總決賽為28nm MOSFET器件制造與測試驗(yàn)證階段。我校競賽團(tuán)隊(duì)采用應(yīng)力工程,、高介電常數(shù)介質(zhì)和金屬柵工藝(HKMG),、Silicide等先進(jìn)制造工藝設(shè)計(jì)出高性能28nm MOSFET器件，器件亞閾值區(qū)擺幅為86mv/dec.,，漏致勢壘降低效應(yīng)值50mV,不存在襯底串通現(xiàn)象,，滿足28nm性能約束。在比賽現(xiàn)場實(shí)操過程中,，團(tuán)隊(duì)成員之間緊密合作,，配合默契，展現(xiàn)出極高的團(tuán)隊(duì)精神和專業(yè)素養(yǎng),。

競賽題目：紫光教育杯——28nm MOSFET器件工藝制造全流程

學(xué)生隊(duì)員：唐雅仝,、吳俊靈、房錚楠

指導(dǎo)老師：吳繼寶

編輯：趙晗宇　嚴(yán)許媖