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【學(xué)術(shù)報告】 缺陷態(tài)對材料電子結(jié)構(gòu)的影響
來源:化學(xué)化工學(xué)院    發(fā)布時間:2022-08-05    點擊:

報告人:郝維昌 北京航空航天大學(xué)長聘教授
邀請人:馬德琨
報告時間:8月6日上午10:00
報告地點:浙江省精細化學(xué)品傳統(tǒng)工藝替代技術(shù)研究重點實驗室會議室308室

 

報告人簡介:

  郝維昌,,男,博士,,北京航空航天大學(xué)長聘教授,。1997年在東北大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位,,2003在蘭州大學(xué)獲博士學(xué)位,。2003年-2005年在北京航空航天大學(xué)物理系做博士后;2005年6月出站后留校工作,;多次在日本東京工業(yè)大學(xué),、澳大利亞伍倫貢大學(xué)開展合作研究。中國物理學(xué)會會員,、美國物理學(xué)會會員,,中國核物理學(xué)會正電子譜學(xué)專業(yè)委員會副主任。2012年獲教育部自然科學(xué)二等獎,。在國在PRM,、PRB、APL,、AM,、AFM、Angew. Chem.,、ACSCatal.等雜志上發(fā)表論文140余篇,,獲得7項國家發(fā)明專利授權(quán)。主要的研究興趣為氧化物材料電子結(jié)構(gòu),、表面物理,、二維材料。

 

報告內(nèi)容簡介:

  在納米尺度范圍下,,材料的比表面大,,表面失配和低配位原子必然存在。納米材料表面缺陷類型十分豐富,,包括表面原子失配,、表面極化、表面非晶化,、表面摻雜與雜質(zhì)吸附,、表面空位及復(fù)合空位等,這些缺陷對半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu),、光譜吸收及光生電子空穴的激發(fā),、遷移和復(fù)合的過程均有重要的影響。這些缺陷由于具有微區(qū)化,,電子態(tài)密度極低特點,,對于這些表面缺陷缺乏有效的研究手段,更談不上有效控制,。因此,,目前納米能源材料的研究與開發(fā)面臨一個最大挑戰(zhàn)便是如何有效的監(jiān)測和控制材料的缺陷類型、缺陷濃度及分布。本次報告將介紹BiOX中的應(yīng)力及空位,、TiO2中氧空位的形成及其對電子結(jié)構(gòu)和性能的影響及規(guī)律,,F(xiàn)e3GeTe2中Fe空位對重費米子行為的影響。



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