報(bào)告人：郝維昌 北京航空航天大學(xué)長聘教授
邀請(qǐng)人：馬德琨
報(bào)告時(shí)間：8月6日上午10:00
報(bào)告地點(diǎn)：浙江省精細(xì)化學(xué)品傳統(tǒng)工藝替代技術(shù)研究重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室會(huì)議室308室

報(bào)告人簡(jiǎn)介：

　　郝維昌，男，博士，北京航空航天大學(xué)長聘教授。1997年在東北大學(xué)獲學(xué)士學(xué)位，2003在蘭州大學(xué)獲博士學(xué)位。2003年-2005年在北京航空航天大學(xué)物理系做博士后；2005年6月出站后留校工作；多次在日本東京工業(yè)大學(xué)、澳大利亞伍倫貢大學(xué)開展合作研究。中國物理學(xué)會(huì)會(huì)員、美國物理學(xué)會(huì)會(huì)員，中國核物理學(xué)會(huì)正電子譜學(xué)專業(yè)委員會(huì)副主任。2012年獲教育部自然科學(xué)二等獎(jiǎng)。在國在PRM、PRB、APL、AM、AFM、Angew. Chem.、ACSCatal.等雜志上發(fā)表論文140余篇，獲得7項(xiàng)國家發(fā)明專利授權(quán)。主要的研究興趣為氧化物材料電子結(jié)構(gòu)、表面物理、二維材料。

報(bào)告內(nèi)容簡(jiǎn)介：

　　在納米尺度范圍下，材料的比表面大，表面失配和低配位原子必然存在。納米材料表面缺陷類型十分豐富，包括表面原子失配、表面極化、表面非晶化、表面摻雜與雜質(zhì)吸附、表面空位及復(fù)合空位等，這些缺陷對(duì)半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)、光譜吸收及光生電子空穴的激發(fā)、遷移和復(fù)合的過程均有重要的影響。這些缺陷由于具有微區(qū)化，電子態(tài)密度極低特點(diǎn)，對(duì)于這些表面缺陷缺乏有效的研究手段，更談不上有效控制。因此，目前納米能源材料的研究與開發(fā)面臨一個(gè)最大挑戰(zhàn)便是如何有效的監(jiān)測(cè)和控制材料的缺陷類型、缺陷濃度及分布。本次報(bào)告將介紹BiOX中的應(yīng)力及空位、TiO2中氧空位的形成及其對(duì)電子結(jié)構(gòu)和性能的影響及規(guī)律，F(xiàn)e3GeTe2中Fe空位對(duì)重費(fèi)米子行為的影響。