報告人：郝維昌 北京航空航天大學長聘教授
邀請人：馬德琨
報告時間：8月6日上午10:00
報告地點：浙江省精細化學品傳統(tǒng)工藝替代技術研究重點實驗室會議室308室

報告人簡介：

　　郝維昌,，男,，博士,，北京航空航天大學長聘教授,。1997年在東北大學獲學士學位,，2003在蘭州大學獲博士學位,。2003年-2005年在北京航空航天大學物理系做博士后,；2005年6月出站后留校工作,；多次在日本東京工業(yè)大學,、澳大利亞伍倫貢大學開展合作研究,。中國物理學會會員,、美國物理學會會員，中國核物理學會正電子譜學專業(yè)委員會副主任,。2012年獲教育部自然科學二等獎,。在國在PRM、PRB,、APL,、AM、AFM,、Angew. Chem.,、ACSCatal.等雜志上發(fā)表論文140余篇，獲得7項國家發(fā)明專利授權,。主要的研究興趣為氧化物材料電子結構,、表面物理、二維材料,。

報告內(nèi)容簡介：

　　在納米尺度范圍下,，材料的比表面大，表面失配和低配位原子必然存在,。納米材料表面缺陷類型十分豐富,，包括表面原子失配、表面極化,、表面非晶化,、表面摻雜與雜質(zhì)吸附、表面空位及復合空位等,，這些缺陷對半導體材料的電子結構,、光譜吸收及光生電子空穴的激發(fā)、遷移和復合的過程均有重要的影響,。這些缺陷由于具有微區(qū)化,，電子態(tài)密度極低特點，對于這些表面缺陷缺乏有效的研究手段,，更談不上有效控制,。因此，目前納米能源材料的研究與開發(fā)面臨一個最大挑戰(zhàn)便是如何有效的監(jiān)測和控制材料的缺陷類型,、缺陷濃度及分布,。本次報告將介紹BiOX中的應力及空位、TiO2中氧空位的形成及其對電子結構和性能的影響及規(guī)律,，F(xiàn)e3GeTe2中Fe空位對重費米子行為的影響,。