報(bào)告人：王成新 教授 博導(dǎo) 國(guó)家杰出青年基金獲得者

報(bào)告時(shí)間：2021年10月17日上午11時(shí)

報(bào)告地點(diǎn)：浙江省精細(xì)化學(xué)品傳統(tǒng)工藝替代技術(shù)研究重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室會(huì)議室308室

報(bào)告人簡(jiǎn)介：王成新,，中山大學(xué)教授,，博士生導(dǎo)師，國(guó)家杰出青年基金獲得者（2011年）。全國(guó)材料新技術(shù)發(fā)展研究會(huì)常務(wù)理事,，國(guó)家基金委材料學(xué)部?jī)?yōu)青、重點(diǎn)、面青地會(huì)評(píng)專(zhuān)家。 致力于納米儲(chǔ)能材料,、IV主族元素納米材料的理論與應(yīng)用、二維材料光電特性等領(lǐng)域研究,。已在Nat. Comm., J. Am. Chem. Soc., Angew. Chem. Int. Ed.; Nano Letters; ACS Nano等期刊上發(fā)表SCI收錄論文200余篇,。相關(guān)研究獲得國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)（排名第二）、廣東省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)（自然科學(xué)類(lèi)）一等獎(jiǎng)（排名第二）一項(xiàng),。

報(bào)告內(nèi)容簡(jiǎn)介：二次電池儲(chǔ)能領(lǐng)域,，理論和實(shí)踐研究表明：提高空位濃度能直接提高儲(chǔ)能離子的容納量、改善離子/電子傳導(dǎo),，還能間接穩(wěn)定晶體結(jié)構(gòu),，緩解嵌/脫儲(chǔ)能離子引起的體積膨脹，粉化等負(fù)效應(yīng),；然而,，有關(guān)空位局域富集、及其與儲(chǔ)能離子的交互作用等研究尚屬空白,。我們近期發(fā)現(xiàn)：局域聚集（短程序構(gòu)）的空位（功能基元）,，能顯著降低儲(chǔ)能離子嵌/脫和擴(kuò)散、遷移等能壘,，使常規(guī)非/低活性的儲(chǔ)能材料表現(xiàn)出顛覆性的儲(chǔ)能比容量?；诖?，本項(xiàng)目擬結(jié)合理論和實(shí)驗(yàn)：首先，研究空位聚集的現(xiàn)象,，揭示短程序構(gòu)空位存在的條件,、原因，及機(jī)制,；然后,，研究短程序構(gòu)空位的儲(chǔ)能過(guò)程，探討多空位之間,，空位與儲(chǔ)能離子之間的交互作用,，及其激活儲(chǔ)能材料高比容儲(chǔ)能的內(nèi)涵和外延；最后,，嘗試將有關(guān)短程序構(gòu)空位的相關(guān)理論和實(shí)驗(yàn)拓展至其它結(jié)構(gòu)缺陷,。本項(xiàng)目的研究將開(kāi)辟基于空位短程序構(gòu)的高比容儲(chǔ)能新模式和方向，衍生一系列基于缺陷序構(gòu)的新材料,，為儲(chǔ)能領(lǐng)域引入一種全新的高比容儲(chǔ)能技術(shù),。